伟德下注_伟德线上导航

当前位置：首页 > 产品中心 > 硅基芯片 > 芯片

产品分类

Product Category

硅基芯片

芯片

查看全部

ZGSOI 纳秒光开关芯片阵列

更新时间：2023-11-16

型号：ZG

浏览量：820

SOI 纳秒光开关芯片阵列该产品基于硅基载流子色散效应实现纳秒级高速响应的光路切换，实现了多通道光开关阵列的单片化集成，芯片与多通道光纤和外围驱动电路一体化光电封装，热电混调，数字化驱动，偏振相关性小，插入损耗低
了解详情
ZG9bit 可调光延时线芯片 SOI 硅光子

更新时间：2023-10-20

型号：ZG

浏览量：898

9bit 可调光延时线芯片 SOI 硅光子集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构，芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路，延时切换时间达到 200ns 以下，最大总时延量 1022ps；延时精度 0.5ps，片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit
了解详情
ZG9bit 可调光延时线芯片 SOI 硅光子技术

更新时间：2023-10-20

型号：ZG

浏览量：811

9bit 可调光延时线芯片 SOI 硅光子技术集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构，芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路，延时切换时间达到 200ns 以下，最大总时延量 1022ps；延时精度 0.5ps，片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit
了解详情
ZG9bit 可调光延时线芯片

更新时间：2023-10-19

型号：ZG

浏览量：824

9bit 可调光延时线芯片片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构，芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路，延时切换时间达到 200ns 以下，最大总时延量 1022ps；延时精度 0.5ps，片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit
了解详情
ZG单片集成 9bit 可调光延时线芯片

更新时间：2023-10-19

型号：ZG

浏览量：811

单片集成 9bit 可调光延时线芯片片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构，芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路，延时切换时间达到 200ns 以下，最大总时延量 1022ps；延时精度 0.5ps，片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit
了解详情
ZGSOI单片集成 9bit 可调光时延线芯片

更新时间：2023-10-18

型号：ZG

浏览量：787

SOI单片集成 9bit 可调光时延线芯片片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构，芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路，延时切换时间达到 200ns 以下，最大总时延量 1022ps；延时精度 0.5ps，片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit
了解详情
ZG硅基单片集成 9bit 可调光时延线芯片

更新时间：2023-10-18

型号：ZG

浏览量：900

硅基单片集成 9bit 可调光时延线芯片片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构，芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路，延时切换时间达到 200ns 以下，最大总时延量 1022ps；延时精度 0.5ps，片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit
了解详情
ZGSOI纳秒光开关芯片阵列

更新时间：2023-10-18

型号：ZG

浏览量：865

SOI纳秒光开关芯片阵列该产品基于硅基载流子色散效应实现纳秒级高速响应的光路切换，实现了多通道光开关阵列的单片化集成，芯片与多通道光纤和外围驱动电路一体化光电封装，热电混调，数字化驱动，偏振相关性小，插入损耗低
了解详情

共 36 条记录，当前 1 / 5 页首页上一页下一页末页跳转到第页